BSE系列 --10G/1G被动式光口编程型Bypass设备
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产品概述
Silicom BSE系列产品是一款外置被动式编程型光纤bypass保护设备,应用于10G/1G光纤以太网络。该设备基于可靠的被动式bypass解决方案,用于确保在内联网络设备出现故障或进行网络维护时的网络连接畅通。
该设备支持两种操作模式:Normal和Bypass。在Normal模式下,该设备将由Network端口进入的数据转移到Port端口所连接的内联网络设备;在Bypass模式下,该设备将由Network端口进入的数据绕过内联Port端口,直接路由至另一个Network端口。它可通过软件编程进行设置,以便在电源故障,软件故障或用户发出指令时自动切换到bypass模式。
- 独立设备
Silicom被动式编程型byapss设备有独立设备(BSS)和1U机架式(BS1U)两种形态。
独立设备包括4个10G/1G以太网数据端口,3个控制管理端口:串行(RJ11)、USB和RJ45以太网端口,1个外置+12V电源。
图例1 - BSSF-CEM前面板图
1U机架式设备
1U机架式设备由1U主机系统和插卡模块组成,支持最多4路Bypass插卡模块,模块分为主控制模块(-C)和从模块 (-S),主模块带有数据端口和控制端口,从模块只有数据端口。主模块和从模块可链接成1U主机系统,该链接设计用于支持需要进行多链路bypass配置和管理访问能力有限的系统。 1U机框包括两个内置的110-220V AC(或-48V DC)电源。
图例2 - 带4个BSF-CEM主模块的BS1U主机系统
关键特性
Bypass
- 电源故障,系统挂起,管理端口故障,应用程序故障或用户发出指令时绕过以太网端口
- 可对bypass或normal模式进行软件编程
- 板载WDT
- 可对WDT超时间隔、禁用或启用WDT进行编程
- 可对启用或禁用bypass功能进行编程:断电时也可处于正常模式
- 各模块可独立进入bypass/normal模式
- 链接式配置:支持多链路,可解决管理访问能力有限的系统
万兆/千兆多模光纤:
- 支持1000Base-SX
- 支持短距离10GBase-SR
万兆/千兆光纤单模:
- 支持 1000Base-LX
- 支持长距离10GBase-SR
Bypass1U主机系统:
- 使用链接模块,一个主模块可控制系统中的多个从模块
- 1U高度,可上架
- 内置两个110-220V AC 或 -48V DC电源模块
技术规格
IEEE 标准 / 网络拓扑 万兆光纤以太网, 10GBase-SR(850nM) 传输速率 全双工模式下,每个端口的传输率为20Gbit/s 线缆和操作距离
多模光纤:62.5um
最长 16.5 米(62.5 um 时)
理论距离 – 定义为 IEEE 802.3 标准距离的一半插入损耗(正常模式) Typical: 0.8 dB
Maximum: 1.9 dB插入损耗(旁路模式) Typical: 0.8 dB
Maximum: 1.9 dBIEEE 标准 / 网络拓扑 千兆光纤以太网, 1000Base-SX(850nM) 线缆和操作距离 多模光纤:62.5um
最长137米
Theoretical Distance – Defined as half a distance as stated by the IEEE 802.3 standard插入损耗(正常模式) Typical: 0.8 dB
Maximum: 1.9 dB插入损耗(旁路模式) Typical: 0.8 dB
Maximum: 1.9 dBIEEE 标准 / 网络拓扑 万兆光纤以太网, 10GBase-LR(1310nM) 传输速率 全双工模式下,每个端口的传输率为20Gbit/s 线缆和操作距离
单模光纤:9um
最长 5000米(9 um 时)
理论距离 – 定义为 IEEE 802.3 标准距离的一半插入损耗(正常模式) Typical: 1.2dB
Maximum: 1.6 dB插入损耗(旁路模式) Typical: 1.2 dB
Maximum: 1.6 dBIEEE 标准 / 网络拓扑 千兆光纤以太网, 1000Base-LX(1310nM) 线缆和操作距离 单模光纤:9um
最长2500米
Theoretical Distance – Defined as half a distance as stated by the IEEE 802.3 standard插入损耗(正常模式) Typical: 1.2 dB
Maximum: 1.6 dB插入损耗(旁路模式) Typical: 1.2 dB
Maximum: 1.6 dBWDT间隔(可编程) 最大值:3276800微秒(3276.8秒)
最小值:100微秒(0.1秒)
WDT Interval =
(2^wdt_interval_parameter)*(0.1) sec. wdt_interval_parameter: { Valid Range: 0-15}独立设备规格 尺寸 152mm x 120.5mm x 24mm (6" x 4.75" x 1") 电压 +12V (最低11.4V,最高12.6V) 工作湿度: 0%–90%,无凝结 工作温度 0°C – 50°C (32°F - 122°F) 存储温度 -20°C–65°C (-4°F–149°F) EMC 认证 Class B MTBF*: > 50 years LEDs: 3个LED 电源、正常、报警 连接端口 Quad LC per segment ; RJ45、USB、RJ11 BS1U主机技术规格 装配 前支架1U机架安装 电压 110-220V AC 或 -48V DC 尺寸 444mm x 270mm x 44mm (宽 x 深 x 高) 工作湿度: 0%–90%,无凝结 工作温度 0°C – 50°C (32°F - 122°F) 存储温度 -20°C–65°C (-4°F–149°F)
功能原理图:
图例3 - Normal模式原理图
图例4 - Bypass模式原理图
型号 描述 备注 BSSF-CEM-R 独立设备,10G/1G多模 BSSF-CES-R 独立设备,10G/1G单模 BS1U-US-R 1U主机 BSF-CEM-R 10G/1G多模,主模块 需要插入1U机框中才可工作 BSF-SEM-R 10G/1G多模,从模块 BSF-CES-R 10G/1G单模,主模块 BSF-SES-R 10G/1G单模,从模块
Model P/N /-Rohs
-R: RoHS Compliant / Lead free adapter ,-US:配美式电源线,-EU:配欧式电源线